Исследователи Киотского университета (Kyoto University) создали полевой транзистор на основе карбида кремния (SiC), способный работать при температуре 600 °C (873 K). Главной особенностью разработки стало обещание массового производства на современных фабриках. Высокотемпературные транзисторы для…
Японцы создали транзистор для Венеры — он прост в производстве и работает при 600 °C
Это краткое изложение. Полный текст материала доступен на сайте источника.