Транзисторы будущего будут собирать по атомам: ученые сделали «грунтовку» толщиной 0,42 нм — она может помочь создавать транзисторы атомарных размеров

Тайваньские исследователи разработали сверхтонкий буферный слой, который может решить одну из главных проблем транзисторов на основе двумерных полупроводников. Прослойка из оксида алюминия имеет толщину около 0,42 нм — всего несколько атомов — и позволяет разместить изолятор максимально близко к…