Южнокорейская SK hynix представила технические подробности архитектуры 3D FeNAND, которая позволяет выполнять вычисления непосредственно внутри флеш-памяти NAND.
SK hynix научила флеш-память выполнять вычисления для ИИ: в 20 раз выше пропускная способность и до 5000 раз меньше энергозатраты
Это краткое изложение. Полный текст материала доступен на сайте источника.