Американские санкции подталкивают китайскую CXMT к ускоренному переходу на более плотную архитектуру ячеек DRAM 4F2, чтобы конкурировать с Samsung и SK hynix. Пока южнокорейские производители могут повышать плотность памяти более простыми методами, CXMT приходится осваивать сложные технологии…
Санкции подталкивают CXMT к переходу на память с вертикальными транзисторами — Samsung и SK hynix не торопятся
Это краткое изложение. Полный текст материала доступен на сайте источника.