Учёные из Института физики полупроводников имени Ржанова СО РАН предложили технологию создания чипов флеш-памяти, устойчивых к космической радиации. В её основе — специальные плёнки с дефектами-«ловушками», которые удерживают электроны и позволяют хранить информацию. Исследования поддержаны…