Новое поколение G11 обещает вдвое большую плотность записи и ускоренный интерфейс до 5,4 Гбит/с Micron Technology раскрыла планы на следующее поколение трёхмерной флеш-памяти, пропустив в названии индекс G10 и сразу анонсировав G11. Производитель официально подтвердил, что количество слоёв…
Micron удвоила плотность флеш-памяти и перешагнула рубеж в 400 слоёв NAND
Это краткое изложение. Полный текст материала доступен на сайте источника.