На 100 с лишним слоев больше, чем у нынешней флеш-памяти Micron Micron представила флеш-память NAND нового поколения — G11, ее производство планируется развернуть во второй половине 2027 года. Технология G11 предусматривает более 400 слоёв. Судя по представленным планам, Micron может пропустить…
Micron анонсировала флеш-память с 400 слоями, производство — уже в 2027 году
Это краткое изложение. Полный текст материала доступен на сайте источника.