Ученые Университета Небраски в Линкольне подтвердили необычное свойство оксида гафния (HfO₂) — материала, который уже используется в современных процессорах и микросхемах. Исследование показало, что он является полноценным антиферроэлектриком, причем сохраняет свои свойства даже в пленках толщиной…