Китайская академия наук анонсировала новую архитектуру транзисторов с круговым затвором (GAA), которая достигла коэффициента включения/выключения более 500 000 раз на установке для DUV-литографии, что теоретически позволяет достичь производительности, эквивалентной 3 нм.