Переход на пластины увеличенного диаметра позволит получать в 2,3 раза больше кристаллов Немецкая Infineon Technologies впервые получила работоспособные силовые полупроводниковые приборы на основе карбида кремния (SiC) с применением кремниевых пластин диаметром 300 мм. Испытательное производство…